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    题名 作者 年代 出处 被引量
1C_X^+.HSO_4^-插层化合物结构模型的研究显示文摘通过水热法成功地合成了 C+ .X HSO4- 插层化合物 ,在前人工作的基础上设计了石墨硫酸插层化合物的结构模型。较好地解释了 C+ .X HSO4- 插层化合物中各原子的排布方式 ,并通过 X射线 ( 0 0 L )衍射得到验证。从而为 C+ .X HSO4- 插层化合物结构研究提供理论指导。朱继平 2001合肥工业大学学报(自然科学版)2001,24,5:1
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