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| 1 | 基于氧化镓日盲紫外光电探测器的研究进展显示文摘日盲紫外探测器以其较高的探测灵敏度和较低的背景噪声广泛应用于导弹制导、空间安全通信、臭氧层空洞监测和火焰检测等军事和民用领域。氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种典型的超宽禁带半导体材料,其较大的禁带宽度(4.2~5.3 eV)几乎占据太阳光谱的整个日盲波段,被认为是制备日盲紫外探测器的理想材料。主要介绍了Ga_(2)O_(3)。的不同晶体结构和基本特性,并综述了基于多种Ga_(2)O_(3)。结构的日盲紫外探测器的研究进展。基于Ga_(2)O_(3)。纳米线的器件的最大光响应度R>10^(3)A/W,外量子效率能达到10^(5)%;Ga_(2)O_(3)单晶器件的光响应度高达10^(3)~10^(5)A/W,外量子效率超过10^(6)%,响应速度较快(μs级)。Ga_(2)O_(3)基异质结、p-n结和肖特基结的日盲探测器表现出的自驱动特性使其在无需外加电源条件下就能正常工作,这在特殊环境下具有较大的应用潜力。 | 王江 罗林保 | 2021 | 中国激光2021，48，11： | 23 |
| 2 | 两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜显示文摘为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明,950℃下GaN薄膜无法完全氧化,而直接1 150℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下,通过两步氧化法,GaN薄膜被完全氧化,且得到的β-Ga 2O 3薄膜具有明显的沿<2 01>方向的晶向,样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950℃下氧化3 h之后在1 150℃下氧化1 h,此时得到样品的纳米线结构最明显,其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性,我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。 | 李赜明 余烨 焦腾 胡大强 董鑫 李万程 张源涛 吕元杰 冯志红 张宝林 | 2019 | 发光学报2019，40，10： | 4 |
| 3 | Deep-ultraviolet integrated photonic and optoelectronic devices:A prospect of the hybridization of group Ⅲ–nitrides, Ⅲ–oxides,and two-dimensional materials显示文摘Progress in the design and fabrication of ultraviolet and deep-ultraviolet groupⅢ–nitride optoelectronic devices,based on aluminum gallium nitride and boron nitride and their alloys,and the heterogeneous integration with two-dimensional and oxide-based materials is reviewed.We emphasize wide-bandgap nitride compound semiconductors(i.e.,(B,Al,Ga)N)as the deep-ultraviolet materials of interest,and two-dimensional materials,namely graphene,two-dimensional boron nitride,and two-dimensional transition metal dichalcogenides,along with gallium oxide,as the hybrid integrated materials.We examine their crystallographic properties and elaborate on the challenges that hinder the realization of efficient and reliable ultraviolet and deep-ultraviolet devices.In this article we provide an overview of aluminum nitride,sapphire,and gallium oxide as platforms for deep-ultraviolet optoelectronic devices,in which we criticize the status of sapphire as a platform for efficient deep-ultraviolet devices and detail advancements in device growth and fabrication on aluminum nitride and gallium oxide substrates.A critical review of the current status of deep-ultraviolet light emission and detection materials and devices is provided. | Nasir Alfaraj Jung-Wook Min Chun Hong Kang Abdullah A.Alatawi Davide Priante Ram Chandra Subedi Malleswararao Tangi Tien Khee Ng Boon S.Ooi | 2019 | Journal of Semiconductors2019，40，12： | 2 |
| 4 | 双反应源气体HVPE生长α-Ga_(2)O_(3)的仿真优化研究显示文摘使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga_(2)O_(3)材料的温度和反应源气流进行了优化。区别于传统的在反应腔内HCl或Cl_(2)携带Ga源的结构,使用了外置Ga源的方法,可以较准确地调整GaCl/GaCl^(3)的组分占比、摩尔分数和浓度。另外,使用分子模拟软件Gaussian计算得到GaCl^(3)与O_(2)反应的活化能,通过实验数据拟合得到α-Ga_(2)O_(3)相变为β-Ga_(2)O_(3)的反应活化能。在此基础上,对生长温度、GaCl/GaCl^(3)的组分占比进行了模拟,并给出了α-Ga_(2)O_(3)的优化生长条件。 | 刘庆东 陈琳 陶志阔 修向前 | 2021 | 半导体光电2021，42，2： | 1 |
| 5 | 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备显示文摘本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×10^(6),248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×10^(15) Jones,带外抑制比为2.36×10^(4),响应时间为226.2μs。 | 汪正鹏 张崇德 孙新雨 胡天澄 崔梅 张贻俊 巩贺贺 任芳芳 顾书林 张荣 叶建东 | 2023 | 人工晶体学报2023，52，6： | 0 |
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