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| 1 | Vapor-phase growth of high-quality wafer-scale two-dimensional materials显示文摘Emerging two-dimensional(2D)materials have stimulated tremendous scientific and industrial interests due to their diverse and tunable physical,chemical,and mechanical properties.The scalable production of high-quality wafer-scale 2D materials has become significantly essential to bring us closer to practical industrial applications,particularly in electronic devices.Vapor-phase growth provides attractive opportunities for the synthesis of large-area and high-quality 2D materials.In this review,we will emphasize vapor-phase growth strategies from three aspects,including suppressing nucleation,seamless stitching,and evolutionary selection growth.We discuss the general understanding of the related fundamental mechanism and specific parameter optimization from precursors and substrate design to the adjusting of growth parameters(temperature and pressure).Meanwhile,we present other strategies to produce various kinds of wafer-scale 2D materials.Finally,we conclude the current challenges and future directions in this developing field.This work may inspire researchers to better design routes in the synthesis of wafer-scale 2D materials with high quality. | Xin Tong Keli Liu Mengqi Zeng Lei Fu | 2019 | InfoMat2019，1，4： | 5 |
| 2 | 石墨烯的化学气相沉积可控制备显示文摘自2004年以来,石墨烯以其优异的性能引起了人们对二维材料领域的持续关注与探索.众多优异的性质使,得石墨烯具有广泛的潜在应用、制备是应用的基础,其中化学气相沉积法以其可调控性和可扩展性成为石墨烯制备的主流方法之一.石墨烯的化学气相沉积可控制备是一个复杂系统,涉及对石墨烯各种性质的调控,深入认识制备过程的规律和控制生长对石墨烯以及其他二维材料领域的基础科学研究和应用至关重要.本综述从化学气相沉积可控制备石墨烯的领域发展角度对基底的选择、反应介质的调控、能带工程、洁净转移4个方面进行了相关阐述,最后对领域内存在的部分问题和未来可能的发展方向进行了讨论. | 姚文乾 孙健哲 陈建毅 武斌 刘云圻 | 2020 | 科学通报2020，65，28： | 2 |
| 3 | 石墨烯的Bottom-up法制备技术新进展显示文摘随着石墨烯需求量的不断加大,掌握高效的石墨烯制备方法很有必要。石墨烯的制备方法分为Top-down和Bottom-up两大类,但Top-down法制备石墨烯存在耗时长、产品尺寸小、难以大规模工业化应用等缺陷,迫切需要一种经济有效的技术来合成高质量、大面积的石墨烯。基于这一目的,文中就Bottom-up法制备石墨烯展开讨论,介绍了外延生长法、化学气相沉积法(CVD)法、等离子体增强化学气相沉积合成(PECVD)法和溶剂热法等技术,为石墨烯大规模应用铺路。 | 杜秉霖 田士东 张生军 李克伦 张文权 | 2020 | 陕西煤炭2020，39，S01： | 0 |
| 4 | 基于抛光基材的热蒸镀铜箔生长高平整单层石墨烯薄膜显示文摘在石墨烯的化学气相沉积工艺中,铜箔是决定石墨烯薄膜质量的重要因素。传统铜箔由于制备工艺的限制,存在大量的缺陷,导致石墨烯薄膜的成核密度较高。本工作选用抛光铝板、抛光不锈钢板、微晶玻璃和SiO_(2)/Si作为基材,用热蒸镀法制备了不同粗糙度的铜箔,并详细讨论了以该系列铜箔生长高平整度石墨烯薄膜的条件及铜箔对石墨烯薄膜品质的影响。实验结果表明,铜箔以(111)取向为主,与基材分离后,表面具有纳米级平整度。在生长石墨烯后,从SiO_(2)/Si剥离的铜箔成核密度是4种基材中最小的。同时,从SiO_(2)/Si剥离的铜箔晶体结构变化最不明显,具有良好的结晶性,表面几乎不存在铜晶界缺陷。当压强为3000 Pa,氢气和甲烷流速分别为300 mL/min和0.5 mL/min时,可以获得约1 mm横向尺寸的石墨烯单晶晶畴。 | 谢颖 韩磊 张志坤 汪伟 刘兆平 | 2022 | 人工晶体学报2022，51，11： | 0 |
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