|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | 图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响显示文摘量子点器件技术广泛应用于量子计算和光电器件上.成核位置的均匀性、有序性和尺寸一致性,可以有效提高光电器件性能.为了实现阵列量子点的可控性,本文采用湿法刻蚀制备图形化衬底,理论上解释了铟原子在图形化衬底上成核现象,产生有序的量子点分布特征,发现图形衬底的缺陷诱导在平台边缘和沟壑边缘成核,形成较大的量子点.在Stranski-Krastanow模式下图形衬底制备多周期量子点,发现多周期生长可以弱化台阶结构对量子点分布的限制作用. | 张丹懿 江玉琪 黄泽琛 蒋冲 赵梦秦 王一 郭祥 丁召 | 2023 | 原子与分子物理学报2023，40，1： | 1 |
| 2 | 三维MXenes异质结及其应用显示文摘MXenes因其独特的表面化学性质、可调的金属组份、良好的亲水性和较高的载流子浓度,近年来被广泛应用于诸多研究领域.与其他二维材料类似,MXenes可与其他材料进行复合构建异质结,形成MXenes基三维多孔材料,从而显著增强其反应活性,提升其相关性能.尤其是这些三维多孔MXenes材料所具有的三维结构和明确的孔径,可显著提高电化学过程中各种离子和电子的传输速率,因此在电化学能量存储、传感、催化和环境领域应用前景广阔.在这篇综述中,作者以MXenes/碳、MXenes/无机物和MXenes/聚合物这三种主要的MXenes基异质结为研究对象,系统地总结了近年来三维多孔MXenes基异质结的构建方法的研究进展.同时,深入探讨了三维多孔MXenes基异质结在光催化、环境监测和电化学储能中的应用进展.最后,详细归纳了三维多孔MXenes基异质结的孔隙形成机制、性质和应用之间的关系,并提出了作者独到的见解.本综述可为三维多孔MXenes基异质结在高性能材料和器件中的设计、制造和应用等方面提供指导. | 江吉周 李方轶 邹菁 刘松 王佳眉 邹逸伦 项坤 张晗 朱国银 张一洲 符显珠 徐治平 | 2022 | Science China Materials2022，65，11： | 1 |
| 3 | 二维材料在红外探测器中的应用最新进展(特邀)显示文摘二维材料,具有原子厚度,以其独特的物理、化学性质,吸引了广大研究人员的关注,成为了众多研究领域(如物理、材料、电子、光电子和化学等)的明星材料。因二维材料具有较高的载流子迁移率、强的光-物质相互作用、电/光学性质各向异性等,使其在光电子领域具有光明的应用前景。其中,窄带隙二维材料,如黑磷、黑磷砷等,在红外光电探测器中表现出巨大的应用潜力,成为了红外探测领域的新宠。文中将对二维材料在红外探测器中的应用,特别是光子型光电探测器的最新进展进行介绍。首先对二维材料的背景进行介绍;然后介绍表征光电探测器的关键参数;接着介绍二维材料在红外探测器中的最新进展,分别展示了单二维材料红外探测器、异质结红外探测器和光波导红外探测器方面的进展;最后对二维材料在红外探测器中的应用进行展望。 | 贾欣宇 兰长勇 李春 | 2022 | 红外与激光工程2022，51，7： | 0 |
| 4 | The Nano Research Young Innovators(NR45)Awards in twodimensional materials显示文摘Nano Research launched the Nano Research Young Innovator Awards(NR45)program in 2018 to feature young researchers under the age of 45 in various fields of nanoscience and nano-technology,in recognition of their distinguished accomplishments and/or potential to make substantial contributions to their fields.The NR45 awardees were selected through a competitive process by an award committee from the journal's editorial board.The 2021 NR45 Awards focus on the topic area of two-dimensional(2D)materials,and highlight 35 innovators in cognitions of their extraordinary contributions to this rapidly expanding field.Congratulations to all the 35 outstanding young innovators! | Xiangfeng Duan Qihua Xiong | 2021 | Nano Research2021，14，6： | 0 |
| 5 | 表面形貌对GaAs生长速率测量的影响显示文摘本文利用Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)强度振荡测量GaAs同质外延生长,发现其生长速率随生长厚度按一定指数函数关系衰减.这种衰减与GaAs表面形貌的变化密切相关,表面台阶数量的增加使层状生长模式由2D成核模式逐渐转变为台阶流模式.由于RHEED强度振荡所测的生长速率与表面的粗糙程度密切相关,表面情况改变对生长速率会有一定的影响,导致测量的生长速率逐渐的衰减.根据生长速率随生长厚度的增加而衰减的拟合曲线,可以获得一个准确的生长速率. | 江玉琪 张丹懿 王一 丁召 郭祥 | 2023 | 原子与分子物理学报2023，40，2： | 0 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员