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| 1 | 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备显示文摘本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×10^(6),248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×10^(15) Jones,带外抑制比为2.36×10^(4),响应时间为226.2μs。 | 汪正鹏 张崇德 孙新雨 胡天澄 崔梅 张贻俊 巩贺贺 任芳芳 顾书林 张荣 叶建东 | 2023 | 人工晶体学报2023，52，6： | 0 |
| 2 | Paper-based amorphous Ga_(2)O_(3)solar-blind photodetector with improved flexibility and stability显示文摘Flexible devices provide advantages such as conformability,portability,and low cost.Paper-based electronics offers a number of advantages for many applications.It is lightweight,inexpensive,and biodegradable,making it an ideal choice for disposable electronics.In this work,we propose a novel configuration of photodetectors using paper as flexible substrates and amorphous Ga_(2)O_(3)as the active materials,respectively.The photoresponse characteristics are investigated systematically.A decent responsivity yield and a specific detectivity of up to 66 mA/W and 3×10^(12)Jones were obtained at a low operating voltage of 10 V.The experiments also demonstrate that neither the twisting nor bending deformation can bring obvious performance degradation to the device.This work presents a candidate strategy for the application of conventional paper substrates to low-cost flexible solar-blind photodetectors,showing the potential of being integrated with other materials to create interactive flexible circuits. | 夏翰驰 张涛 王月晖 祁亚平 张帆 吴真平 张杨 | 2023 | Chinese Optics Letters2023，21，10： | 0 |
| 3 | 斜切角对β-Ga_(2)O_(3)(100)面衬底加工的影响研究显示文摘本文研究了斜切角的引入对β-Ga_(2)O_(3)(100)面衬底加工的影响,分析了斜切角分别为0°、1°、6°时,(100)面衬底在加工过程中的形貌变化及不同抛光参数对衬底抛光的影响。实验结果表明,随着斜切角的增大,(100)面衬底在加工过程中的解理损伤问题得以改善,加工后表面粗糙度降低,材料去除方式出现了脆性去除-脆塑性混合去除-塑性去除的转变。较小的抛光压力可以有效减少解理损伤,改善表面质量。斜切角为6°时的(100)面衬底抛光效率高,抛光后表面粗糙度可达到Ra≤0.2 nm。 | 李信儒 侯童 马旭 王佩 李阳 穆文祥 贾志泰 陶绪堂 | 2023 | 人工晶体学报2023，52，9： | 0 |
| 4 | β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结界面的结构和电子性质显示文摘利用第一性原理计算,系统性地研究了β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结界面的结构和电子性质。利用满足电子计数规则的成键模型,构建了具有粗糙度小和带隙干净的绝缘界面,Si-O键在该界面的化学键中占主导地位。计算结果表明:对于β-Ga_(2)O_(3)和4H-SiC而言,利用杂化泛函计算得到的带隙分别为4.7 eV和3.35 eV,与实验值吻合较好;对于β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结界面,该界面表现出半导体特性,其直接带隙为0.46 eV;同时,β-Ga_(2)O_(3)与4H-SiC形成Ⅱ型能带对齐,计算得到的价带偏移为1.72 eV,导带偏移为0.18 eV。所得结果对设计基于β-Ga_(2)O_(3)和4HSiC的电子器件具有重要意义。 | 王佳琳 师俊杰 彭彦军 周泽民 周雄 桂庆忠 郭宇铮 | 2024 | 武汉大学学报(工学版)2024，57，2： | 0 |
| 5 | 4英寸氧化镓单晶生长与性能显示文摘本文使用导模法(EFG)制备了4英寸氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄(Laue)衍射斑点清晰一致,符合β-Ga_(2)O_(3)衍射特征。晶体(400)面摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为57.57″,通过化学腐蚀获得其腐蚀坑位错密度为1.06×10^(4) cm^(-2)。晶体在紫外截止边为262.1 nm,对应光学带隙为4.67 eV。通过C-V测试分析获得非故意掺杂晶体中的电子浓度为7.77×10^(16) cm^(-3)。 | 穆文祥 贾志泰 陶绪堂 | 2022 | 人工晶体学报2022，51，9： | 0 |
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