一种低电压、低噪声、高增益CMOS折叠式混频器

查看全文 作　　者：[1,2]韦保林;[1]戴宇杰;[1]张小兴;[1]吕英杰;[1]刘慧敏

机构地区：[1]南开大学微电子研究所,天津300071;[2]桂林电子科技大学信息与通信学院,广西桂林541004

出　　处：《微电子学与计算机》索引2009年第26卷第5期,共4页

摘　　要：针对IEEE802.15.4协议设计了一种工作于2.44GHz的900mV低电压、低噪声、高增益CMOS折叠式混频器,并在混频器的开关级共源节点引入LC回路吸收寄生电容,进一步提高了混频器的主要性能.在chartered0.18μm CMOS工艺下采用SpectreRF进行仿真,仿真结果表明:该混频器的转换增益高达18.6dB,单边带噪声系数(SSB NF)仅为7.15dB,输入/输出三阶截断点(IIP3/OIP3)为-8.77/9.88dBm,功耗为5.2mW. 关键词：折叠式混频器低电压低噪声 IEEE802.15.4

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