Linear Strain-Gradient Effect on the Energy Bandgap in Bent CdS Nanowires

查看全文 作　　者：Qiang [1]Fu;Zi Yue [2]Zhang;Liangzhi [2]KOU;Peicai [1]Wu;Xiaobing [1]Han;Xinli [1]Zhu;Jingyun [1]Gao;Jun [1]Xu;Qing [1]Zhao;Wanlin [2]Guo;Dapeng [1]Yu 机构地区：[1]State Key Laboratory for Mesoscopic Physics, and Electron Microscopy Laboratory, Department of Physics, Peking University Beijing 100871, China;[2]Institute of Nanoscience, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China 出　　处：《Nano Research》索引2011年第4卷第3期,共7页 基　　金：This study was supported by the National Natural Science Foundation of China (NSFC), the State Key Research Projects for Fundamental Science (Nos. 2007CB936200, 2007CB936202, and 2009CB623703) of Ministry of Science and Technology of China (MOST), and Natural Science Foundation (NSF) of Jiangsu Province of China. 摘　　要：尽管在半导体的可能的非同类的紧张效果被调查了因为在一半上世纪和紧张坡度能每在灵活 nanostructures 的测微计是超过 1% ,我们仍然缺乏他们对精力乐队的影响的理解。这里,我们进行紧张坡度的系统的阴极射线发光光谱学研究在在低温度的有弹性地弄弯的 CdS nanowires 的导致的激子精力移动,并且发现在弄弯的 nanowires 的激子精力红移动与紧张坡度成正比,格子失真的一个索引。密度功能的计算在弄弯的 nanostructures 显示出乐队差距减小的一样的趋势并且揭示内在的机制。半导体的乐队差距上的重要线性紧张坡度效果应该在在 nanoelectronics 调节光电子的性质的方法上打开新灯。 关 键 词：应变梯度 弹性弯曲 纳米线 硫化镉 线性 能隙 激子能量 纳米电子学