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40Cr冷滚打成形中位错密度变化研究

查看全文 作  者:[1]王晓强;[1]崔凤奎;[1]燕根鹏;[2]李玉玺 高影响力作者 机构地区:[1]河南科技大学,洛阳471003;[2]西安理工大学,西安710048高影响力机构 出  处:《中国机械工程》索引2013年第24卷第16期,共6页高影响力期刊 基  金:国家自然科学基金资助项目(51075124;50975229) 摘  要:为揭示40Cr在高速冷滚打中的成形机理,将40Cr宏观应力变化和位错密度变化机理相结合,得到了40Cr位错密度变化曲线;基于位错密度变化的微观组织演变模型,建立了40Cr位错密度变化模型,并验证了该模型的正确性;利用XRD实验得到40Cr在不同变形条件下的XRD图谱,结合Dunn公式求得40Cr在不同变形条件下各个晶面及晶面整体位错密度变化。通过模型验证和试验分析,进一步从微观角度解释了40Cr在冷滚打成形过程中的变化规律。 关 键 词:冷滚打 位错密度 微观变化模型 XRD实验
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