Role of the carrier gas flow rate in monolayer MoS2 growth by modified chemical vapor deposition

查看全文 作　　者：Hengchang [1,2,3,4]Liu;Yuanhu [2]Zhu;Qinglong [2]Meng;Xiaowei [2]Lu;Shuang [2]Kong;Zhiwei [2]Huang;Peng [2]Jiang;Xinhe [1,2]Bao

机构地区：[1]Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, 99 Hi-Tech Park, Pudong, Shanghai 200120, China;[2]State Key Laboratory of Catalysis, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, 457 Zhongshan Road, Dalian 116023, China;[3]University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China;[4]ShanghaiTech University, 100 Haike Road, Pudong, Shanghai 201210, China

出　　处：《Nano Research》索引2017年第10卷第2期,共9页

摘　　要：单层铝二硫化物(因为潜在的应用的变化,瞬间 ₂) 吸引了许多注意。然而,它的控制生长仍然是大挑战。这里,我们报导一个修改化学蒸汽免职方法种单层瞬间 ₂ 。我们观察到瞬间 ₂ 晶体的质量能被在加热阶段期间调节搬运人气体流动率极大地改进。这微妙的修正阻止在先锋之间的控制不了的反应,为高质量的单层瞬间 ₂ 的生长的一个关键因素。基于优化煤气的流动率,瞬间 ₂ 范围和薄片尺寸能被调整生长时间控制。 关键词：瞬间 ₂ 单层搬运人气体流动率修改 CVD

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