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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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6篇 您的检索式：作者名="Attolini G"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1A new growth method for the synthesis of 3C-SiC nanowires 显示文摘Attolini G Rossi F Fabbri F 2009Materials Letters2009，63，29：1
2The use of mesh in abdominal wall defects显示文摘 Attolini G Cangioni G 1997Minerva chir1997，52，10：1
3显示文摘Taylor P Ponraj J S Attolini G Critical Reviews in Solid State and Material Science0，21，6：1
4AFM Observation of GaN Grown on Different Substrates at Low Temperatures显示文摘目的研究衬底温度与GaN形貌及其性能之间的关系.方法用氢化物化学气相沉积方法,在不同类型的衬底,Si(111),Si(100),GaAs,GaP(111)的P和Ga面上气相生长GaN薄膜材料,生长是在低于700℃的温度下进行的。用XRD,霍尔测量,阴极荧光及原子力显微镜表征薄膜的性质.结果发现温度和衬底类型影响生长层的形貌.曹传宝 ATTOLINI G FORNARI R PELOSI C 1999Journal of Beijing Institute of Technology1999，8，2：1
5Raman scattering study of residual strain in GaAs/InP heterostructures显示文摘Attolini G Averback R S Forbes D V 1994J Appl Phys1994，75，：1
6Influence of surface roughness on interdiffusion processes in InGaP/Ge het- eroepitaxial thin films显示文摘Joice P Sophia Attolini G Bosi M 2015Journal of Solid State Science and Technology2015，4，3：1
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