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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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11篇 您的检索式：作者名="Chyan O"
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1Arrayed CNx NT-RuO2 Nanocomposites Directly Grown on Ti-buffered Si Substrate for Supercapacitor Applications 显示文摘Fang W Chyan O Sun C 2007Electrochem Commun2007，9，：1
2Arrayed CNx NT-RuO2 nanocomposites directly grown on Ti-buffered Si substrate for supercapacitor applications显示文摘FANG W C CHYAN O SUN C L 2007Electrochemistry Communications2007，9，2：1
3Copper deposition on HF etched silicon surface: Morphological and kinetic studies显示文摘CHYAN O M R CHEN J J CHIEN H Y 1996The Electrochemical Society1996，143，：1
4显示文摘Arunagiri T N Zhang Y Chyan O 2005Appl Phys Lett2005，85，08：1
55nm ruthenium thin film as a directly plateable copper diffusion barrier显示文摘Arunagiri T N Zhang Y Chyan O 2005Appl Phys Lett2005，86，08：1
6Ultrapure water quality monitoring by a silicon-based potentiometric sensor显示文摘CHYAN O CHEN J J XU F 2000Analyst2000，125，：1
75 nm ruthenium thin film as a directly plateable copper diffusion barrier 显示文摘ARUNAGIRI T N ZHANG Y CHYAN O 2005APL2005，86，8：1
85 nm ruthenium thin film as a directly plateable copper diffusion barrier显示文摘Arunagiri T N Zhang Y Chyan O 2005Ap- plied Physics Letters2005，，86：1
9Arrayed CNxNT-RuO2 nanocomposites directly grown on Ti-buffered Si substrate for supercapacitor applications显示文摘Fang W C Chyan O Sun C L 2007Electrochem Commun2007，9，：1
10Arrayed CNT-RuO2 Nanocomposites Directly Grown on Ti-buffered Si Substrate for Supereapacitor Applications 显示文摘Fang W Chyan O Sun C 2007Electrochemistry Communications2007，9，：1
115 nm ruthenium thin film as a directly plateable copper diffusion barrier显示文摘ARUNAGIRI T N ZHANG Y CHYAN O 2005Appl Phys Lett2005，86，08：1
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