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11篇 您的检索式：作者名="DELAGE S"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Monolithically integrated asymmetric graded and step-index couplers for microphotonic waveguides显示文摘	Delage A Janz S Lapointe J		0，，01：	1
	2	Silicon- germanium base heterojunction bipolar transistors by molecular beam epitaxy 显示文摘	PATTON G L IYER S S DELAGE S L	1988	IEEE Electron Device Letters1988，9，4：	1
	3	Using photonic crystal fibre in the frame of stellar interferometer显示文摘	VERGNOLE S DELAGE L REYNAUD F	2004	SPIE2004，5491，：	1
	4	Silicon-Germani- um base heterojunction bipolar transistors by molecular beam epitaxy 显示文摘	Iyer S S Patton G L Delage S S	1988	IEEE Electron Device Letters1988，9，4：	1
	5	Molecular mechanisms of estrogen action: selective ligand and receptor pharmacology 显示文摘	Katzenellenbogen B S ChoiI Delage Mourroux R	2000	Steroid Biochem Mol Biol2000，74，：	1
	6	Inter ferons and IRF- 1 induce expression of the survival motor neu ron(SMN) genes 显示文摘	Abadie A Echaniz-Laguna A	2000	Mol Med2000，6，11：	1
	7	Percentile Optimization for Markov Decision Processes with Parameter Uncertainty 显示文摘	Delage E Mannor S	2010	Opera- tion Research2010，58，1：	1
	8	Some titanium germanium and silicon compounds:Reaction and properties显示文摘	THOMAS O D'HEURLE F M DELAGE S	1990	J Mater Res1990，5，：	1
	9	Microstructural characterization of a Canadian oil sand显示文摘	DOAN D H DELAGE P N JEAN F S	2012	Canadian Geotechnical Journal2012，49，10：	1
	10	Silicon-Germanium-Base Hetero-junction Bipolar Transistors By Molecular Beam Epitaxy显示文摘	Patton Gary L Iyer Subramanian S Delage Sylvain L	1988	IEEE Trans on Electron Devices Letter1988，9，4：	1
	11	Silicon germanium base heterojunction bipolar transistors by molecular beam epitaxial 显示文摘	PATTON G L IYER S S DELAGE S L	1988	IEEE Electron Device Letters1988，9，4：	1

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