3篇
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| 1 | 基于∑-△转换器并集成了电流和温度传感功能的IGBT模块显示文摘市场的需求推动了系统集成在功率电子行业中的发展。本文将IGBT模块集成精确的电阻取样(如英飞凌MIPAQ^(TM)系列)与IGBT片上电流检测功能进行比较。同时对通过采用DBC上集成的NTC热敏电阻测量方法和通过IGBT片上集成的温度检测二极管测量方法进行了比较。接下来,在模块内部还采用∑-△转换器和无磁芯变压器技术对取样的信号进行转换和隔离传输。 | Daniel Domes Ulrich Schwarzer | 2010 | 变频器世界2010，，7： | 1 |
| 2 | 高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块显示文摘减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前,英飞凌公司向市场推出了SiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟,该器件具有令人信服的低功率损耗、高可靠性和鲁棒性,并且应用简单、成本适当。本文介绍了利用JFET的优异特性研制的第一个工业化功率模块。 | Daniel Domes Christoph Messelke Peter Kanschat 冯幼明 王传敏 | 2011 | 电力电子2011，，5： | 0 |
| 3 | 节能高效的SiC功率模块显示文摘近年来,市场上开始涌现出各种SiC(碳化硅)分立器件。文中介绍和论述了功率模块的SiC二极管和开关的应用,并将其与基于硅材料的功率模块进行比较。尽管SiC开关具备极低的整体动态损耗,但由于缺乏传导调制和芯片尺寸限制(由于SiC基材价格仍居高不下),仍有较高的静态损耗。各种1200V配置取决于频率的总损耗.这表明包含SiC开关的模块性能将在超过20kHz的应用中优于其他方案。 | 张熙 Daniel Dome Roland Rupp | 2010 | UPS应用2010，，8： | 0 |
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