|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | 矩形平面磁控溅射装置薄膜沉积仿真显示文摘薄膜厚度沿矩形靶长度方向分布的均匀度是衡量矩形平面磁控溅射装置镀膜质量的重要指标。为了分析气压和靶基板间距对该指标的影响,本文采用Monte Carlo方法,在假设靶材沿跑道均匀刻蚀的前提下,对靶材原子沉积过程进行了计算机仿真。模型假设靶材原子出射能量满足Thompson分布,出射角度以余弦定律处理;假设背景气体速度为麦克斯韦分布,并采用舍选法对各个速度分量进行了抽样;应用可变硬球模型对碰撞过程进行了处理。通过仿真发现,随着气压增大,尽管薄膜的均匀度越好,但是靶材原子到达基板的能量会降低;而靶与基板间距越大,薄膜的均匀度和靶材原子到达基板的能量都会降低。另外,通过对矩形靶端部磁场改进,可以削弱靶材的反常刻蚀现象,在提高靶材利用率的同时,可以有效提高薄膜均匀度。 | 邱清泉 励庆孚 苏静静 Jiao Yu Finely Jim | 2008 | 真空科学与技术学报2008，28，3： | 8 |
| 2 | 矩形平面直流磁控溅射装置端部磁场分析显示文摘矩形平面直流磁控溅射装置在运行过程中,由于端部区域磁场弱于直道区域磁场,在靶表面对角线位置上容易出现反常刻蚀.通过对这种现象进行分析,该文对反常刻蚀的发生机理提出了新的观点,认为反常刻蚀的发生是由于电子由弱磁场区域向强磁场区域漂移的过程中,电子距靶表面的距离不能够随磁场变化而迅速改变,存在较长的过渡状态.进一步发现在磁体弯道区域沿圆周方向磁场分量的存在是导致弯道区域刻蚀跑道压缩以及跑道内侧刻蚀较快的重要因素.该文研究了不同的磁体初始设计结构对磁场的影响,通过对现有磁体磁场的三维计算分析,提出了磁场的改进原则,并对具体的磁场改进措施进行了研究.通过对现有不同磁场校正方法的比较,提出了一种应用铁块和永磁块对装置端部区域磁场进行校正的新方法.通过对改进后装置的磁场分布进行计算,该文提出的改进措施可以把沿跑道磁场的均匀度控制在5%左右,并且可以削弱沿圆周方向的磁场分量. | 邱清泉 励庆孚 YU Jiao FINELY Jim | 2006 | 中国电机工程学报2006，26，z1： | 6 |
| 3 | 平面直流磁控溅射放电等离子体模拟研究进展显示文摘放电等离子模拟是平面直流磁控溅射装置系统仿真的一个重要的子过程。本文根据模型的种类,求解问题的维数以及自洽性对磁控放电等离子体模拟方法进行了分类,并通过介绍不同种类的仿真模型,诸如动力学模型,流体模型,粒子模型,混合模型以及简化模型,根据平面直流磁控溅射放电的特殊性,对这些模型在该装置等离子模拟中的适用性进行了分析。兼顾问题求解的速度和质量,本文认为二维自洽粒子模拟与三维非自洽粒子模拟是目前需要重点研究的两种方法。最后作者对磁控放电等离子体模拟的进一步发展进行了展望。 | 邱清泉 励庆孚 苏静静 Jiao Yu Finely Jim | 2007 | 真空科学与技术学报2007，27，6： | 5 |
| 4 | 矩形平面直流磁控溅射装置工作区域磁场分析显示文摘通过分析磁场对磁控溅射过程的影响,总结出了矩形平面直流磁控溅射装置工作区域磁场的设计原则,并给出了两种磁体结构.采用有限元方法对一套装置的磁场进行了计算,磁场计算结果与测量值吻合较好.基于上述分析计算,研究了磁场分布对靶材刻蚀形貌的影响,并进一步提出了具体的磁场改进措施.采用分流条垫补方法可以改进磁场分布,如果磁场水平分量呈马鞍形分布,靶材的利用率可以提高,采用磁极斜面结构对磁场分布的改进意义不大.另外,错开磁体间安装接缝和对永磁体精确充磁能够有效提高工作区域磁场分布的均匀性. | Yu Jiao Jim Finely 邱清泉 励庆孚 | 2007 | 西安交通大学学报2007，41，12： | 4 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员