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11篇 您的检索式：作者名="Ghandi R"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Improving transverse actuation of piezoceramics using interdigitated surface electrodes显示文摘	HAGOOD N KINDEL R GHANDI K	1993	SPIE1993，1917，：	1
	2	High-current-gain SiC BJTs with regrown extrinsic base andetched JTE显示文摘	LEE H S DOMEIJ M GHANDI R	2008	IEEE Transactions on ElectronDevices2008，55，8：	1
	3	Improving transverse actuation of Piezoceramics using Interdigitated Surface Electrodes显示文摘	Hagood N W Kindel R Ghandi K	1917	SHE1917，，25：	1
	4	Improving transverse actuation of piezoceramics using interdigitated surface electrodes显示文摘	HAGOOD N W KINDEL R GHANDI K	1917	Proceeding of SPIE1917，1993，：	1
	5	Design and characterization of high-temperature ECL-based bipolar integrated circuits in 4H-SiC显示文摘	LANNI L GHANDI R MALM B	2012	IEEE Transactions on Electron Device2012，59，4：	1
	6	Role of cell attachment in leaching of chalcopyrite minera by Thiobacillus ferrooxidans显示文摘	Ghandi K S Atarajan K	1991	Appl Micro biol Biotechnol1991，36，27：	1
	7	Surface-passivation effects on the performance of 4H-SiC BJTs 显示文摘	GHANDI R BUONO B DOMEIJ M	2011	IEEE Trans Elec Dev2011，58，1：	1
	8	Distance on the current gain in 4H-SiC power BJTs 显示文摘	BUONO B GHANDI R DOMEIJ M	2010	IEEE Trans Elec Dev2010，57，10：	1
	9	Validated LC method for in-vitro analysis of azithromycin using electrochemical detection 显示文摘	Ghandi R Kau CL Panchagnula R	2000	J Pharm Biomed Anal2000，23，：	1
	10	Endocrinopathy in POEMS Syndrome: The Mayo Clinic Experience显示文摘	Ghandi GY Basu R Dispenzieri A	2007	Mayo Clin Proc2007，82，7：	1
	11	High-current-gain SiC BJTs with regrown extrinsic base and etched JTE 显示文摘	LEE H S DOMEIJ M GHANDI R	2008	IEEE Transactions on Electron Devices2008，55，8：	1

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