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4篇 您的检索式：作者名="H.Bender"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应显示文摘本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧的解吸和Si、N讯号增加,最后达到一个稳定态。Si_3N_4和SiO_xN_y对离子辐照很容易造成损伤。但在高束流密度的电子束辐照下离子损伤的表面可以恢复。恢复程度与电子束流密度、束能、辐照时间和样品制备工艺有关。最后,本文对离子辐照损伤和恢复的机理进行了讨论。	陈维德 H.Bender H.E.Maes	1990	Journal of Semiconductors1990，11，6：	0
	2	硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应显示文摘本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆积现象.这说明磷和硼的表面分凝是与低能电子组成的表面负电荷有关.	陈维德 H.Bender	1991	Journal of Semiconductors1991，12，5：	0
	3	Porous Structures and Short-Wavelength Photoluminescence of C^(+)-Implanted SiO_(2) Films显示文摘C ions of three different energies were sequentially implanted into SiO_(2) films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition.Microstructures of the samples were studied with transmission electron microscopy(TEM)and secondary ion mass spectroscopy As revealed by cross-sectional TEM,porous structures had been created in the implanted region during ion implantation.No photoluminescence(PL)was detected from the as-implanted samples.However,intense short-wavelength PL peaking at 360-370nm and ~450nm was observed from the annealed samples.The blue light from samples excited by an Xe lamp can be observed by naked eyes at room temperature.The light emission mechanisms are briefly discussed.	赵俊茅东升丁星兆林梓鑫江炳尧俞跃辉杨根庆柳襄怀 S.Jin H.Bender	1999	Chinese Physics Letters1999，16，5：	0
	4	SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应显示文摘在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。	陈维德 H.Bender	1992	真空科学与技术1992，12，5：	0

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