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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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12篇 您的检索式：作者名="Hupalo"
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1Cold swaging, recovery and recrystallization of oligocrystalline INCOLOY MA 956-Part I: Deformed state 显示文摘Hupalo M F Padilha A F Sandim H R Z Kliauga A M 2004ISIJ Int2004，44，11：1
2Effect of alpha prime due to 475?°C aging on fracture behavior and corrosion resistance of DIN 1.4575 and MA 956 high performance ferritic stainless steels显示文摘Maysa Terada Marcio F. Hupalo Isolda Costa Angelo F. Padilha 2008Journal of Materials Science2008，，2：1
3Growth mechanism for epitaxial graphene on vicinal 6H-Si C(0001)surfaces:A scanning tunneling microscopy study显示文摘Hupalo M Conrad E Tringides M C 2009Physical Review B2009，80，04：1
4Cold swaging, recovery and recrystallization of oligocrystalline INCOLOY MA 956-Part 1: Deformed state显示文摘HUPALO M F PADILHA A F SANDIM H R Z KLIAUGA A M 2004ISIJ Int2004，44，11：1
5Uniform island height selection in the low temperature growth of Pb/Si(111)-(7×7)显示文摘Hupalo M Kremmer S Yeh V 2001Surface Science2001，，493：1
6The annealing behavior of oligocrystalline tantalum deformed by cold swaging显示文摘Hupalo M F Sandim H R Z 2001Materials Science and Engineering A2001，318，12：1
7Uniform-height island growth of Pb on Si(111)-Pb(√3×√3) at low temperatures显示文摘Hupalo M Yeh V Berbil-Bautista L 2001Phys RevB2001，64，15：1
8Stimultaneous recording of mandibular condylar movement and single motor-unit activity at verified sites in the human lateral pterygoid muscle显示文摘Murray GM Phanachet I Hupalo M 1999Arch Oral Biol1999，44，8：1
9Cold Swaging, Recovery and Recrystallization of Oligocrystalline Incoloy MA 956-part I : Deformed State 显示文摘Hupalo M F Padilha A F Sandim H R Z Kliauga A M 2004ISIJ International2004，44，11：1
10The annealing behavior of oligocrystalline tantalum deformed by cold swaging显示文摘Hupalo M F Sandim H R Z 2001Materials Science and Engineering2001，318，11：1
11Cold swaging, recovery and recrystallization of oligocrystaUine incoloy MA 9562 part: deformed state 显示文摘Hupalo M F Padilha A F Sandim H R Z 2004ISIJ International2004，44，11：1
12Metal intercalation-induced selective adatom mass transport on graphene显示文摘最近的实验显示金属置闰是一个很有效的方法在 graphene 上操作 graphene-adatom 相互作用和控制金属 nanostructure 形成。一个关键问题是集体运输,即,在 graphene 上一致地扔的原子怎么占据取决于本地置闰的不同区域。用第一原则的计算,我们显示出那部分设置的 graphene,与混合物设置并且太古的区域,因为空间变化,能在电子做导致一个轮流出现的电场,并且这样,一个摆动的静电的潜力。这块轮流出现的地能把正常随机的 adatom 散开改变到偏导的散开,导致选择集体运输和作为结果的成核,在也上设置或太古的区域,取决于 adatoms 的费用状态。Xiaojie Liu Cai-Zhuang Wang Myron Hupalo Hai-Qing Lin Kai-Ming Ho Patricia A. Thiel Michael C. Tringides 2016Nano Research2016，9，5：0
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