维普中文期刊产品整合服务
3篇 您的检索式:作者名="J.Esteve"
    题名 作者 年代 出处 被引量
1硅各向异性腐蚀<110>条补偿图形腐蚀前沿控制显示文摘本文报道了一种由<110>条组成的,用于(100)硅KOH各向异性腐蚀的凸角补偿图形.该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控制使补偿后凸角的削角大大减小.文中给出常用补偿图形的有效补偿长度和临界补偿时的削角比.该方法已应用于微机械硅加速度传感器的掩模设计.鲍敏杭 沈绍群 胡澄宇 马青华 Chr.Burrer J.Esteve J.Bausells S.Marco 1994Journal of Semiconductors1994,15,11:11
2Operative mortality after gastric cancer resection and long‐term survival differences across Europe显示文摘C.Lepage M.Sant A.Verdecchia D.Forman J.Esteve J.Faivre 2010Br J Surg2010,,:1
3一种表面可动微结构的释放新工艺显示文摘在表面微机械加工技术中,当牺牲层腐蚀后,已被释放的表面可动微结构会粘结在衬底上使器件失效。另外牺牲层腐蚀通常是器件制造的最后一步,这样形成的CMOS电路的表面保护也是困难的。本文提出一种表面可动微结构的释放新工艺,可以避免上述现象。其方法是把牺牲层腐蚀紧随在多晶硅结构层淀积以后,而在最后的工艺步骤中把已经释放的多晶硅结构层进行干法成形。这样既不会发生可动微结构的粘连,也使CMOS电路免受侵蚀。沈绍群 鲍敏杭 M.A.Beniteg J.Esteve 1998仪表技术与传感器1998,,7:0
返回顶部 每页显示:
共1页 首页 上一页 第1页 下一页 末页 /1 跳转

网站首页 | 关于我们 | 联系我们 | 产品服务 | 客服中心 | 广告服务 | 版权声明 | 网站联盟 | 友情链接 | 售卡网点

版权所有© 渝B2-20050021-1 渝公网安备 50019002500403号 违法和不良信息举报中心

互联网出版许可证 新出网证(渝)字10号 全国400电话 - 免长途话费