| 1 | 碳化硅高温钠盐腐蚀的电镜研究显示文摘用扫描电镜和分析电镜研究了碳酸钠对SiC的高温腐蚀,实验表明腐蚀反应首先发生在晶界上的石墨夹杂处。腐蚀的主要结构特徵是针孔腐蚀,针孔一般位于被反应消耗的颗粒及晶界处。电子显微镜研究发现,腐蚀产物除玻璃态硅酸钠外,还有结晶型硅酸钠、二氧化硅及少量的一氧化硅。从实验结果分析了碳酸钠对SiC腐蚀的反应过程。文章还介绍了带有脆性玻璃质为主的腐蚀产物的SiC的电子显微镜试样制备方法。 | 孙荆 胡容明 Nancy J.Tighe | 1992 | 电子显微学报1992，11，1： | 2 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员