| 2 | 用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发显示文摘在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法,如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合,从而得刭了张应力大于1.6GPa和压应力大于2.9GPa的氮化硅薄膜覆盖。 | Bhadri Varadarajan Jim Sims Akhil Singhal Mike Christensen Gengwei Jiang Kevin Ilcisin Krishnan Shrinivasan Mohamad Ayoub Vineet Dharmadhikari Ming Xi | 2006 | 集成电路应用2006，23，5： | 0 |
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