| 5 | Statistical analysis of recombination properties of the boronoxygen defect in p-type Czochralski silicon显示文摘这份报纸介绍一生光谱学的申请给归功于到硼氧(BO ) 的导致搬运人的降级的学习缺点。明确地, p 类型硅样品的一个大数据集合被用来调查搬运人一生分析的二个重要方面:方法过去常提取与缺点和那搬运人注射不影响的内在的假设联系的再结合一生对缺点无关的一生部件。结果证明与 BO 的施主水平联系的俘获十字节比率背叛(k 1) 广泛地变化取决于过去常提取缺点特定的再结合一生的特定的方法。为这里学习的数据集合,过去常形成缺点的照明在使用的表面钝化引起了次要,却统计上重要的变化,这也被发现。基本假设的这违背能被说明为由使用适当曲线试穿方法,导致 k 1 的改进估计(11. | Nitin NAMPALLI Tsun Hang FUNG Stuart WENHAM Brett HALLAM Malcolm ABBOTT | 2017 | Frontiers in Energy2017，11，1： | 0 |
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