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2篇 您的检索式:作者名="Peter Blood"
    题名 作者 年代 出处 被引量
1InGa As/Ga As量子点类脊型激光器的激射特性显示文摘用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构 ,并研制出量子点激光器。研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构之间的关系 ,结果表明激光器的阈值电流密度依赖于量子点的结构。通过采用多层量子点、对量子点层间进行耦合以及采用宽禁带AlGaAs作为量子点层势垒可以有效地降低激光器的阈值电流密度。获得了最低为 2 0A/cm2 的平均阈值电流密度。量子点激光器的激射波长也与有源区结构有关 ,随着量子点层数增加 ,激射峰向长波方向移动。宁永强 高欣 王立军 Peter Smowton Peter Blood 2002中国激光2002,29,4:3
2InGaAs量子点的自发发射及光增益显示文摘研究了 In Ga As量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性 .实验发现 In Ga As量子点材料随着注入电流密度的增加 ,其自发发射及放大自发发射光谱峰蓝移 ,表现出明显的能带填充现象 .由于量子点材料尺寸及形状等存在一定的分布 ,在光谱中没有明显的对应量子点激发态的谱峰 .由单程增益放大自发发射得到了量子点材料在不同注入电流密度下的光增益谱 .宁永强 高欣 王立军 Peter Smowton Peter Blood 2002Journal of Semiconductors2002,23,4:1
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