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4篇 您的检索式：作者名="R.Jin"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Photoinduced conversion of silver nanospheres to nanoprisms显示文摘	R.Jin Y.Cao C.A.Mirkin K.Kelly G.C.Schatz J.Zheng		0，，5548：	1
	2	新一代CMP设备及其对IC器件的影响显示文摘概述了为IC生产中绝缘体上硅(SOI)、硅?多晶硅、浅沟槽隔离(STI)、氧化物(PMD和ILD)、钨(W)、铜(Cu)和铝(Al)等不同化学机械抛光(CMP)用途开发的CMP设备的进展,讨论了新一代CMP设备(MIRRARCMP)对IC器件生产的影响及其特性。	Raymond R.Jin 万力	2003	电子工业专用设备2003，32，2：	0
	3	Electronic Phase Transition of IrTe_2 Probed by Second Harmonic Generation显示文摘We have utilized second harmonic generation(SHG) to disentangle the coupled first-order charge order/structural transition at T_c^281 K in the transition-metal dichalocogenide IrTe_2, an exceptional layered material with 3D properties. The data from SHG shows extremely sharp transition in both the cooling and warming processes with less than 0.2 K transition window. Surface electronic symmetries of C_(3ν) and S_2 are observed in the high temperature and low temperature phases, respectively. Compared to neutron diffraction data for the structural transition(Phys. Rev. B 88(2013) 115122) and to the electrical resistivity for the microscopic transition(Phys.Rev. B 95(2017) 035148), our data indicates the electronic transition at the surface is the precursor to the structural transition.	J.E.Taylor Z.Zhang G.Cao L.H.Haber R.Jin E.W.Plummer	2018	Chinese Physics Letters2018，35，9：	0
	4	先进的前道CMP设备及整合解决方法显示文摘概述了未来IC器件可采用的前道CMP设备及整合解决方法的巨大进展。为提高设备的可用性和生产线的运作效率,在一台设备上采用多用途的整合解决方法。而且,对这些方法与下一代无磨料网膜抛光设备的能力进行了比较。未来数代器件要求的CMP工艺技术包括先进的抛光头、先进的现场终点系统、多平台、多抛光头结构。与下一代消耗品(单独硬抛光垫、高平面性磨料、无磨料抛光等)结合,能使直接抛光浅沟槽隔离(STI)工艺方法满足0.18μm乃至更小特征尺寸的器件要求。采用新型多步工艺进行了多晶硅CMP。先进的多晶硅金属介质(PMD)抛光工艺展示了更长寿命的抛光垫和更高的金刚石盘片生产效率和更强的设备可用性。这些工艺技术已全部成功地使用在生产线,并正在生产中进行测试。	Raymond R.Jin Sen-Hou Ko Benjamin A.Bonner Shijian Li Thomas H.Osterheld Kathleen A.Perry	2003	电子工业专用设备2003，32，6：	0

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