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1德国AIM公司三代红外探测器的发展显示文摘三代红外探测器组件——双色(DC),双波段(DB)以及大规模2-DY0阵要求精细的生产技术:诸如分子束外延(MBE)以及新的列阵制备工艺,此类技术可以满足日趋复杂的器件结构及低成本的需求。AIM公司将采用上述三种技术制备高性能器件以扩大其未来的业务。DC/MW/MW探测器基于II-型超晶格锑化物(IAF通过MBE技术制备而成),像元规格为384×288,像元中心距为40μm。AIM公司的DB/MW/LW/FPA(焦平面列阵)选用了MBE技术,通过在CdZnTe衬底上生长MCT,该技术与IAF公司合作完成。由AIM公司制备了像元规格为640×512,像元中心距为15μm的FPA。尽管在不同的衬底上用MBE方法生长MW/MCT薄膜具有挑战性,但对于制备具备百万像素的大规模2维FPA(MW1280×1024,像元中心距为15μm)而言,这种技术是必要的。本文给出了上述三代FPA及集成探测器杜瓦制冷机组件(IDCAs)的发展现状及近期测试结果。J. Zieglerl D. Eich M. Mahlein T. Schallenberg R. Scheibner J. Wendler J. Wenisch R.Wollrab V. Daumer R. Rehm F. Rutz M. Walther 田萦(译) 王忆锋(校对) 2012云光技术2012,44,2:0
2HgCdTe共振缺陷态的电容谱研究显示文摘提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10^(16)~4×10^(17)cm^(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V曲线.对浓度约10^(17)cm^(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.21Te体材料样品,在C-V曲线上耗尽区和反型层交界的偏压区域观察到一个附加峰,该峰起源于导带底以上45meV的一个共振缺陷态,分析表明是氧占据Hg空位的杂质缺陷态.褚君浩 R.Sizmann R.Wollrab F.Koch J.Ziegler H.Maier 1989红外研究1989,8,5:0
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