| 7 | InGaN基发光二极管和激光二极管(英文)显示文摘在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外延生长的GaN激光二极管 (LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的。在温度 2 5 0℃、30mW输出的连续工作状态下 ,其工作电流小于 4 2mA ,6 0 0℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为1 5 0 0 0小时。这些结果表明 ,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命。此外 ,良好的散热也是很重要的。 | Mukai T Nagahama S Iwasa N Senoh M Matsushita T Sugimoto Y Kiyoku H Kozaki T Sano M Matsumura H Umimoto H Chocho K | 2001 | 发光学报2001，22，z1： | 1 |
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