2篇
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| 1 | 适用于高压高开关频率反激变换器的ESBT^(TM)显示文摘在高压中小功率容量应用领域中,新一代功率器件的发展和推陈出新具有明显的特征,即在正向导通压降、击穿电压和开关频率之间进行平衡以获得最优化的组合。最近推向市场的ESBTTM,即发射极开关双极性晶体管(Emitter Switched Bipolar Transistor),代表了功率器件的一个新的产品系列,特别适合于高压高开关频率应用领域。在简单介绍发射极开关原理及其从离散到积分方程的推演之后,本文还介绍了和有效基极驱动方法有关的全部知识,因此本文也能为功率变换器设计工程师提供有益的帮助。 | Simone Buonomo Marco D’Antonio Francesco Saya Gianni Vitale | 2005 | 电力电子2005，3，5： | 0 |
| 2 | 用于电磁炉零压准谐振转换器的ESBT^(TM)晶体管显示文摘ESBTTM是由一个高压双极晶体管与一个低通态电阻的低压功率MOSFET组成,两个器件连接采用共发共基放大器结构(CASCODE)。这个解决方案的最大优点是关断快速和传导过程中压降较低。由于具有这些特性,对于传统的开关而言,ESBTTM系列代表了全谐振或准谐振转换器应用中的一个理想的解决方案。 | Simone Buonomo Marco D`Antonio Giovanni Vitale | 2005 | 家电科技2005，，10： | 0 |
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