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9篇 您的检索式：作者名="Vellianitis"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	HfO2 high- k gate dielectrics on Ge (100) by atomic oxygen beam deposition 显示文摘	DIMOULAS A MAVROU G VELLIANITIS G	2005	APL2005，86，03：	1
	2	Electrical properties of Y2O3 high-kappa gate dielectric on Si (001):The influence of postmetallization annealing显示文摘	Ioannou-Sougleridis V Vellianitis G Dimoulas A		0，，：	1
	3	Direct Heteroepitaxy of Crystalline Y2O3 on Si (001) for High -k Gate Dielectric Applications 显示文摘	DIMOULAS A VELLIANITIS G TRAVLOS A	2001	J Appl Phys2001，90，8：	1
	4	HfO2high-κ gate dielectrics on Ge (100) by atomic oxygen beam deposition显示文摘	Dimoulas A Mavrou G Vellianitis G	2005	Appl Phys Lett2005，86，03：	1
	5	Effects on surface morphology of ep- itaxial Y203 layers on Si (001) after post growth annealing 显示文摘	loannou-Sougleridis V Constantoudis V Alexe M Scholz R Vellianitis G Dimoulas A	2004	Thin Solid Films2004，468，12：	1
	6	Structural and electrical quality of the high-k dielectric Y2O3 on Si (001): dependence on growth parameters显示文摘	Dimoulas A Vellianitis G Travlos A	2002	J Appl Phys2002，92，1：	1
	7	Direct heteroepitaxy of crystalline Y2O3 on Si (001) for high-k gate dielectric applications显示文摘	Dimoulas A Travlos A Vellianitis G	2001	J Appl Phys2001，90，8：	1
	8	La2Hf2O7high-k gate dielectric grown directly on Si(001) by molecu-lar-beam epitaxy显示文摘	Dimoulas A Vellianitis G Mavrou G Apostolopoulos G Travlos A Wiemer C Fanciulli M Rittersma Z M		0，，：	1
	9	Appl显示文摘	Ioannou-Sougleridis V Vellianitis G Dimoulas A	2003	Phys2003，93，：	1

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