| 6 | 利用屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗显示文摘监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高。新的设计要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30~200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案。现在,通过提高开关性能,导通阻抗Rds(on)已能降低50%及以上,从而提高效率,为更高频率工作创造条件。本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40~300V)应用中的优势。 | Mike Speed Joe Yedinak HL Lin | 2011 | 今日电子2011，，4： | 1 |
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