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30篇 您的检索式：作者名="janotti A"

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	题名	作者	年代	出处	被引量
1	Native point defects in ZnO显示文摘	Janotti A Van de Walle C G	2007	Phys Rev B2007，76，16：	1
2	Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor显示文摘	JANOTTI A van de WALLE C G	2009	Report on Progress in Physics2009，72，12：	1
3	Hydrogen multicentre bonds显示文摘	Janotti A Van de Walle C G	2007	Nature Mater2007，6，：	1
4	Nature and evolution of the band-edge states in Mo S2:from monolayer to bulk显示文摘	PADILHA J E PEELAERS H JANOTTI A	2014	Physical Review B2014，90，205420：	1
5	New insights into the role of native point defects in ZnO显示文摘	Janotti A Van de Walle Chris G	2006	J Cryst Growth2006，287，：	1
6	Native point defects in ZnO显示文摘	JANOTTI A VAN DE WALLE C G	2007	Phys Rev B2007，76，16：	1
7	Hydrogen multicentre bonds 显示文摘	Janotti A van de Walle C G	2007	Nature Materials2007，6，1：	1
8	Oxygen vacan- cies in ZnO 显示文摘	JANOTTI A VAN DE WALLE C G	2005	Appl Phys Lett2005，87，12：	1
9	Carbon Impurities and the Yellow Luminescence in Ga N显示文摘	Lyons J L Janotti A Van de Walle C G	2010	Applied Physics Letters2010，97，15：	1
10	Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor 显示文摘	Janotti A van de Walle C G	2009	Reports on Progress in Physics2009，72，12：	1
11	Native point defects in ZnO显示文摘	Janotti A Van de Walle C G	2007	Phys Rev B2007，76，16：	1
12	Native Point Defects in ZnO显示文摘	Janotti A Van de Walle C G	2007	Physical Review B2007，76，16：	1
13	Why nitrogen cannot lead to p type conductivity in ZnO显示文摘	Lyons J L Janotti A Van de Walle C G	2009	Appl Phys Lett2009，95，25：	1
14	Native Point Defects in ZnO显示文摘	Janotti A Van de Walle C G	2007	Physical Review B2007，6，16：	1
15	Native point defects in ZnO显示文摘	JANOTTI A WALLE Van de C G	2007	Physical Review B2007，76，16：	1
16	Mechanism of visible-light photocatalysis in nitrogen-doped TiO2显示文摘	Varley J B Janotti A Walle C G V D	2011	Advanced Materials2011，20，23：	1
17	Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor 显示文摘	Janotti A Van de Walle C G	2009	Reports on Pro- gress in Physics2009，72，12：	1
18	Solute diffusion in metals: Larger atoms can move faster显示文摘	janotti A Krcmar M Fu C L et a1	2004	Phys Rev Lett2004，92，08：	1
19	Effects of cation d states on the structural and electronic properties of III-nitride and II-oxide wide-band-gap semiconductors显示文摘	JANOTTI A SEGEV D van de WALLE C	2006	Phys Rev: B2006，74，4：	1
20	Hydrogen Passivation of Impurities in Al2 O3显示文摘	Choi M Janotti A Van de Walle C G	2014	Applied Materials & Interfaces2014，，6：	1

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