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| 1 | 高分子-无机夹层化合物的合成、结构和性能显示文摘由高分子和插入无机层状固体层间形成的夹层化合物是近年发展起来的一类具有诱人前景的新型功能材料 ,在许多领域具有广阔应用前景。本文对这类夹层化合物的合成、结构、性能及应用前景等方面的研究进展进行了评述。 | 陈兴国 杨楚罗 秦金贵 | 2000 | 化学通报2000,63,7: | 9 |
| 2 | 硫酸石墨插层化合物的物性研究显示文摘通过在过氧化氢化学氧化法和 K Mn O4 -H2 O2 氧化法制备硫酸石墨插层化合物的基础上 ,详细讨论了其物理性质 ,如物相分析、热分析、红外谱图分析、导电性和低温比热的性质等。其中 XRD研究表明石墨的表面氧化对插层反应是必不可少的。TG和 DTA分析表明过氧化氢氧化法制备产物插层反应完全。IR谱进一步确证热分析的结果。低温比热研究表明在某些温区发生相变 ,十分“类似于”纳米材料的低温比热行为。 | 朱继平 | 2001 | 合肥工业大学学报(自然科学版)2001,24,6: | 7 |
| 3 | 石墨插层化合物的结构与特性显示文摘概述了石墨插层化合物的结构特征和主要物理与化学特性,介绍了这类新型材料的应用前景。 | 魏环 宋庆功 | 1999 | 河北理工学院学报1999,21,4: | 4 |
| 4 | 层间化合物hBN—Cu稳定性的理论研究显示文摘以分子簇为模型 ,用从头算方法 ,在 6-31G 基组水平上对六方氮化硼 (hBN)进行几何全优化 ,再用优化构型对Cu的六方氮化硼层间化合物(hBN—Cu)做单点计算 .根据计算结果 ,从层间距、Mulliken布居、轨道相互作用、原子净电荷及前线轨道等角度分析了hBN—Cu的电子结构及其稳定性 .通过振动分析计算确认了这一层间化合物只是一个介稳结构 。 | 张桂玲 戴柏青 韦永德 | 2000 | 分子科学学报2000,16,4: | 2 |
| 5 | 含水玻璃夹层状硅酸盐的合成与XRD表征显示文摘120℃时膨润土、高岭土分别用水玻璃固化,固化物晶形仍以蒙脱石、高岭石结构为主,且蒙脱石可包含更多的水玻璃成分。其固化机理为水玻璃加强了这些硅酸盐的层间作用力,讨论了新型夹层物质形成的可能。 | 刘孝恒 丁锐 杨绪杰 陆路德 汪信 | 1998 | 光谱实验室1998,15,4: | 1 |
| 6 | 钾膨胀石墨层间化合物(K-EGIC_S)的电阻率测量显示文摘在低温惰性条件下合成的钾膨胀石墨层间化合物 (K_EGICS)的电学性能与膨胀石墨的电学性能完全相反 ,随着温度的升高 ,K_EGICS 的电阻率逐渐升高 ,电导率逐渐降低。这一现象是由客体材料钾自身的结构及其与膨胀石墨化合时的键性决定的。 | 孔洪亮 陈代璋 曾荣树 | 2001 | 岩石矿物学杂志2001,20,2: | 1 |
| 7 | C_X^+.HSO_4^-插层化合物结构模型的研究显示文摘通过水热法成功地合成了 C+ .X HSO4- 插层化合物 ,在前人工作的基础上设计了石墨硫酸插层化合物的结构模型。较好地解释了 C+ .X HSO4- 插层化合物中各原子的排布方式 ,并通过 X射线 ( 0 0 L )衍射得到验证。从而为 C+ .X HSO4- 插层化合物结构研究提供理论指导。 | 朱继平 | 2001 | 合肥工业大学学报(自然科学版)2001,24,5: | 1 |
| 8 | 熔盐中FeCl_3-GIC的合成及其与RECl_3之间的交换反应显示文摘在熔盐法(FeCl3-NaCl体系)合成FeCl3-GIC的基础之上,研究了封闭条件下四种稀土氯化物(LaCl3、CeCl3、NdCl3及GdCl3)与一阶FeCl3-GIC中FeCl3之间的交换反应。化学成分及X-射线衍射(XRD)分析均表明,除GdCl3生成混合阶C22.3FeCl2.98(GdCl3)0.35外,其余三种RECl3均未明显插入石墨,并从RECl3的结构特征对此作出了定性分析。热重分析(TG)则表明,三元GdCl3-FeCl3-GIC的热稳定性低于一阶FeCl3-GIC。 | 石建新 韦永德 | 1997 | 炭素1997,,3: | 1 |
| 9 | 金属石墨层间化合物的量子化学和热力学研究显示文摘采用量子化学密度泛函 B3 LYP方法 ,对碱金属、碱土金属和过渡金属石墨层间化合物 (A-GIC,AE-GIC和 T-GIC)进行计算 .从原子净电荷、 Mulliken重叠布居和轨道电子数等角度讨论了 A-GIC和 AE-GIC的电子结构与成键特性 ,初步阐明了结构与性能的关系 .根据计算结果 ,结合热力学分析 。 | 张桂玲 戴柏青 韦永德 | 2002 | 高等学校化学学报2002,23,10: | 1 |
| 10 | 层状结构材料Ni_2P_2S_6的室温固相合成与表征显示文摘通过室温固相反应合成了Ni2P2S6层状结构材料,并经XRD和Raman光谱进行了表征.与传统的高温固相反应法相比较,该法具有反应速度快、能耗低、可得均相产物的优点.TG-DTA研究表明,Ni2P2S6在空气中热氧化的终产物为Ni2P2O7。 | 黄种乐 陈坚固 毛少瑜 赵景泰 詹梦雄 郑兰荪 | 1999 | 高等学校化学学报1999,20,4: | 1 |
| 11 | K-EGICs合成条件对阶结构的影响显示文摘用混合法分别对天然鳞片石墨和膨胀石墨(expandedgraphite,EG)进行碱金属钾插层生成钾石墨层间化合物(potassium-graphiteintercalationcompounds,K-GICs)和钾膨胀石墨层间化合物(potassium-expandedgraphiteintercalationcompounds,K-EGICs),通过XRD分析发现K-EG-ICs在氮气环境中明显比K-GICs稳定.改变温度和反应时间,K-EGICs的阶结构没有很明显的变化,但其颗粒度与反应时搅拌速度有关.这是由EG和K-EGICs本身特殊的阶结构如EG(002)面网间距的增大等诸多因素决定的. | 陈加藏 陈丽涛 曹宏 马恩宝 | 2005 | 浙江工业大学学报2005,33,2: | 1 |
| 12 | C_x^+·HSO_4^-插层化合物的水热法合成显示文摘通过水热法成功地合成了 C+ x · H SO- 4 石墨插层化合物 ,讨论了氧化剂、插入剂、反应时间、反应温度和原料配比等对插层反应的影响 ,以及热力学对插层反应的影响。与熔盐法相比 ,水热法优点显著 ,不仅反应温度低、操作简单 ,并且不需要抽真空 ,从而开辟了石墨插层化合物新的合成途径。 | 朱继平 程继贵 | 2000 | 合肥工业大学学报(自然科学版)2000,23,6: | 1 |
| 13 | 锂离子电池负极材料M_2P_2S_6(M=Ni,Mn)的合成及电化学性能研究显示文摘通过室温固相法合成M2P2S6(M=Mn,Ni)层状结构材料,经XRD,SEM,EDS,IR和TG进行表征.结果表明,Mn2P2S6由粒径为40~50 nm的纳米球堆积而成,Ni2P2S6由不同大小粒子组成块状结构.将M2P2S6(M=Mn,Ni)作为锂离子电池负极材料进行电化学测试表明,M2P2S6(M=Mn,Ni)的首圈放电比容量分别高达800 m Ah/g和911 m Ah/g,说明M2P2S6化合物可能是一个潜在的锂离子电池负极材料。 | 徐杉 刘康 刘小红 刘恋 张晴 王石泉 冯传启 | 2015 | 湖北大学学报(自然科学版)2015,37,3: | 0 |
| 14 | 钠和四氢呋喃插层无硫膨胀石墨制备及微结构的研究显示文摘利用Na和四氢呋喃(THF)做插层剂制备了无硫膨胀石墨,并且采用XRD、SEM、EDS和TG-DTA等手段对得到的膨胀石墨的结构、表面形貌和热稳定性进行了测试分析。结果表明,Na和THF受热突然膨胀使石墨片层发生卷曲,石墨的结晶结构没有原始石墨规整,导致002衍射峰减弱。300~650℃阶段,失重曲线缓慢下降,失重率为10.1%,650℃之后,失重曲线快速下降,主要原因是没有被钠处理的石墨开始被氧化变成二氧化碳。 | 马全新 孟军霞 王进福 尹兆明 赵凤艳 | 2012 | 炭素技术2012,31,5: | 0 |
| 15 | 二维层状空旷结构材料的研究与展望显示文摘本文系统介绍了二维层状空旷结构材料的制备、插层过程机制、应用研究方面取得的进展 ,并对今后本领域研究工作进行了展望。 | 高秋明 王启刚 陈云霞 | 2002 | 世界科技研究与发展2002,24,6: | 0 |
| 16 | 钒硼氮层间化合物的电子结构与成键性显示文摘采用量子化学从头算方法 ,在 6 - 31G 水平上对h -BN进行了几何全优化 ,得到了与实验一致的结构参数 .然后利用优化构型在 3- 2 1G 基组水平上对hBN -V层间化合物的结构单元作了单点计算 .从层间距 ,原子净电荷 ,Mulliken重叠布居的角度 ,分析了这一硼氮层间化合物的电子结构和成键性 ,得到了与石墨层间化合物理论计算相一致的结果 ,并从理论上预测了hBN | 关源 | 2003 | 哈尔滨商业大学学报(自然科学版)2003,19,3: | 0 |
| 17 | CuCl_(2)-FeCl_(3)-H_(2)SO_(4)复合石墨夹层化合物的水热合成及其表征显示文摘首次报道CuCl2FeCl3H2SO4复合石墨夹层化合物的水热合成制备及其表征,详细研究了反应条件对水热夹层反应的影响和产物的热分析,根据X射线衍射分析和产物片状单晶新鲜解理面的XPS分析结果讨论了产物的结构模式;与石墨相比,产物片状单晶碳层面电导大幅度减少,低温比热测量表明石墨中的插层物呈现“纳米粒子”状态. | 陈祖耀 朱继平 王克勤 阮可青 汪成友 陈葵 | 1999 | 中国科学技术大学学报1999,29,1: | 0 |