| 1 | Linear Strain-Gradient Effect on the Energy Bandgap in Bent CdS Nanowires显示文摘尽管在半导体的可能的非同类的紧张效果被调查了因为在一半上世纪和紧张坡度能每在灵活 nanostructures 的测微计是超过 1% ,我们仍然缺乏他们对精力乐队的影响的理解。这里,我们进行紧张坡度的系统的阴极射线发光光谱学研究在在低温度的有弹性地弄弯的 CdS nanowires 的导致的激子精力移动,并且发现在弄弯的 nanowires 的激子精力红移动与紧张坡度成正比,格子失真的一个索引。密度功能的计算在弄弯的 nanostructures 显示出乐队差距减小的一样的趋势并且揭示内在的机制。半导体的乐队差距上的重要线性紧张坡度效果应该在在 nanoelectronics 调节光电子的性质的方法上打开新灯。 | Qiang Fu Zi Yue Zhang Liangzhi KOU Peicai Wu Xiaobing Han Xinli Zhu Jingyun Gao Jun Xu Qing Zhao Wanlin Guo Dapeng Yu | 2011 | Nano Research2011，4，3： | 5 |
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